TK6R7P06PL,RQ

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Número de producto base	TK6R7P06
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSIX-H
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 300µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1990 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	66W (Tc)
Otros nombres	TK6R7P06PLRQCT TK6R7P06PLRQ TK6R7P06PLRQ(S2 TK6R7P06PLRQTR TK6R7P06PLRQDKR TK6R7P06PL,RQ(S2 TK6R7P06PL,RQTR

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