CWDM3011P TR13 PBFREE

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Central Semiconductor Corp
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	CWDM3011
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3100 pF @ 8 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta)
Otros nombres	-CWDM3011P DKR-ND -1583-CWDM3011PTR13PBFREEDKR -CWDM3011P TR13-DKR-ND 1514-CWDM3011PTR13PBFREETR -CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011PCT CWDM3011P DKR-ND -CWDM3011PDKR -CWDM3011PDKR-ND CWDM3011PTR -CWDM3011P TR13-ND CWDM3011PDKR CWDM3011P DKR -CWDM3011P CT-ND -1583-CWDM3011PTR13PBFREECT 1514-CWDM3011PTR13PBFREEDKR -CWDM3011P TR13-DKR CWDM3011P TR13 CWDM3011P CT -CWDM3011P TR13-CT-ND -CWDM3011PCT-ND CWDM3011P TR13 LEAD FREE CWDM3011PCT-ND CWDM3011P TR-ND CWDM3011PTR-ND -CWDM3011PCT 1514-CWDM3011PTR13PBFREECT -CWDM3011P TR13 CWDM3011P CT-ND CWDM3011PDKR-ND