FDS6679AZ
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Número de pieza NOVA:
312-2282622-FDS6679AZ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDS6679AZ
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Número de producto base | FDS6679 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 13A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3845 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta) | |
| Otros nombres | FDS6679AZDKR FDS6679AZCT FDS6679AZTR |
In stock ?Necesitas más?
0,26540 US$
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
- NTMFS6H864NLT1Gonsemi
- USB2514BI-AEZGMicrochip Technology
- FDS6680Aonsemi
- 2N7002LT1Gonsemi
- IRF7424TRPBFInfineon Technologies
- NCP45540IMNTWG-Honsemi
- DMG4407SSS-13Diodes Incorporated
- TPS22962DNYRTexas Instruments
- SI4491EDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- NTMFS5C456NLT1Gonsemi
- FDMC4435BZonsemi











