BUK965R8-100E,118
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2279714-BUK965R8-100E,118
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BUK965R8-100E,118
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK | |
| Número de producto base | BUK965 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 25A, 5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.1V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 133 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 17460 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 357W (Tc) | |
| Otros nombres | 568-9570-1-ND 1727-7137-6 568-9570-6 568-9570-2 568-9570-2-ND 568-9570-1 568-9570-6-ND 934066497118 BUK965R8100E118 1727-7137-2 1727-7137-1 |
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