IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2283550-IPB027N10N3GATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB027N10N3GATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
| Número de producto base | IPB027 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 275µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 206 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14800 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) | |
| Otros nombres | IPB027N10N3 GCT IPB027N10N3GATMA1CT IPB027N10N3 G-ND IPB027N10N3 GDKR-ND SP000506508 IPB027N10N3GATMA1DKR IPB027N10N3G IPB027N10N3GATMA1TR IPB027N10N3 G IPB027N10N3 GTR-ND IPB027N10N3 GDKR IPB027N10N3 GCT-ND |
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