PSMN1R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Número de pieza NOVA:
312-2280729-PSMN1R0-30YLDX
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PSMN1R0-30YLDX
Embalaje estándar:
1,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número de producto base | PSMN1R0 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.02mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 2mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 121.35 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8598 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 238W (Tc) | |
| Otros nombres | 568-11555-1-ND 568-11555-2 568-11555-1 934068234115 PSMN1R0-30YLDX-ND 1727-1859-6 568-11555-6-ND 1727-1859-2 1727-1859-1 568-11555-6 568-11555-2-ND |
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