TPN3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Número de pieza NOVA:
312-2281132-TPN3R704PL,L1Q
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPN3R704PL,L1Q
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Número de producto base | TPN3R704 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.4V @ 0.2mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 630mW (Ta), 86W (Tc) | |
| Otros nombres | TPN3R704PLL1QDKR TPN3R704PLL1QTR TPN3R704PLL1QCT TPN3R704PL,L1Q(M |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SN74LVC1G17DBVTTexas Instruments
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
VLMS1500-GS08Vishay Semiconductor Opto Division
TPN2R304PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BQ24725ARGRRTexas Instruments- TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and Storage
SSM6K513NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
FPF2101onsemi
L6474HTRSTMicroelectronics
PSMN013-100YSEXNexperia USA Inc.
