SSM3J35MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 100MA VESM

Número de pieza NOVA:

312-2283988-SSM3J35MFV,L3F

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SSM3J35MFV,L3F

Embalaje estándar:

8,000

Hoja de datos técnicos:

P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	VESM
Número de producto base	SSM3J35
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	-
Función FET	-
Paquete / Caja	SOT-723
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	12.2 pF @ 3 V
Disipación de energía (máx.)	150mW (Ta)
Otros nombres	SSM3J35MFVL3F(T SSM3J35MFVTL3T SSM3J35MFV(TL3,T) SSM3J35MFV(TL3T)DKR-ND SSM3J35MFV,L3F(T SSM3J35MFVL3FCT SSM3J35MFV(TL3T)TR-ND SSM3J35MFVL3FTR SSM3J35MFV(TL3T)TR SSM3J35MFVL3F(B SSM3J35MFV(TL3T)DKR SSM3J35MFVL3FDKR SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND SSM3J35MFV,L3F(B SSM3J35MFVL3F SSM3J35MFV(TL3T)CT

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