IPB80P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Número de pieza NOVA:
312-2288571-IPB80P03P4L04ATMA2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB80P03P4L04ATMA2
Embalaje estándar:
1,000
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 | |
| Número de producto base | IPB80P03 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 253µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | +5V, -16V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11300 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 137W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPB80P03P4L04ATMA2DKR SP002325736 448-IPB80P03P4L04ATMA2TR 448-IPB80P03P4L04ATMA2CT |
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