IPB80P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Número de pieza NOVA:
312-2288508-IPB80P04P4L06ATMA2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB80P04P4L06ATMA2
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 | |
| Número de producto base | IPB80P04 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS®-P2 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 150µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 104 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | +5V, -16V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6580 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 88W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPB80P04P4L06ATMA2TR 448-IPB80P04P4L06ATMA2CT 448-IPB80P04P4L06ATMA2DKR SP002325754 |
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