SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2282632-SPD08P06PGBTMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SPD08P06PGBTMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 | |
| Número de producto base | SPD08P06 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8.83A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6.2V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 10A, 6.2V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 420 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 42W (Tc) | |
| Otros nombres | SPD08P06PGBTMA1DKR SPD08P06PGINDKRINACTIVE SPD08P06PGINCT SP000096087 SPD08P06PG 2156-SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1CT SPD08P06PGINDKR SPD08P06PGINTR-ND SPD08P06P G INFINFSPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGINCT-ND SP000450534 SPD08P06PGINTR SPD08P06PGXT SPD08P06PGINDKR-ND SPD08P06PGINTRINACTIVE SPD08P06P G-ND SPD08P06PGBTMA1TR SPD08P06PGINCTINACTIVE |
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