IXTT16N10D2
MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Número de pieza NOVA:
312-2283887-IXTT16N10D2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTT16N10D2
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-268AA | |
| Número de producto base | IXTT16 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Depletion | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 8A, 0V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | - | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 225 nC @ 5 V | |
| Función FET | Depletion Mode | |
| Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 830W (Tc) | |
| Otros nombres | -IXTT16N10D2 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXTA6N50D2IXYS
IXTT16N50D2IXYS- IXTT16N20D2IXYS
IXTH16N10D2IXYS