SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Número de pieza NOVA:
312-2288844-SIDR610DP-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIDR610DP-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8DC | |
| Número de producto base | SIDR610 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1380 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | |
| Otros nombres | SIDR610DP-T1-GE3TR SIDR610DP-T1-GE3DKR SIDR610DP-T1-GE3CT |
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