TPH14006NH,L1Q

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5)
Número de producto base	TPH14006
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSVIII-H
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	14A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	14mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1300 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	1.6W (Ta), 32W (Tc)
Otros nombres	TPH14006NH,L1Q(M TPH14006NHL1QCT TPH14006NHL1QDKR TPH14006NHL1Q TPH14006NHL1QTR

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