TK5R3E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Número de pieza NOVA:
312-2277227-TK5R3E08QM,S1X
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK5R3E08QM,S1X
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSX-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 700µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3980 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) | |
| Otros nombres | 264-TK5R3E08QMS1X TK5R3E08QM,S1X(S 264-TK5R3E08QM,S1X-ND 264-TK5R3E08QM,S1X |
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