IRFB3207ZPBF

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.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

Número de pieza NOVA:

312-2283369-IRFB3207ZPBF

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IRFB3207ZPBF

Embalaje estándar:

100

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Número de producto base	IRFB3207
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	75 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6920 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Otros nombres	SP001575584