IRFH9310TRPBF
MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2288099-IRFH9310TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFH9310TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PQFN (5x6) | |
| Número de producto base | IRFH9310 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 21A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.4V @ 100µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 58 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5250 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.1W (Ta) | |
| Otros nombres | IRFH9310TRPBFDKR SP001556540 IRFH9310TRPBFTR IRFH9310TRPBFCT IRFH9310TRPBF-ND |
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