NTD4815N-35G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Número de pieza NOVA:
312-2277017-NTD4815N-35G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTD4815N-35G
Embalaje estándar:
75
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Through Hole I-Pak
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-Pak | |
| Número de producto base | NTD4815 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta), 35A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 14.1 nC @ 11.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 770 pF @ 12 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) | |
| Otros nombres | NTD4815N-35GOS 2156-NTD4815N-35G-OS NTD4815N-35G-ND ONSONSNTD4815N-35G |
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