NTD4970N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Número de pieza NOVA:
312-2277640-NTD4970N-35G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTD4970N-35G
Embalaje estándar:
75
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) Through Hole I-Pak
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-Pak | |
| Número de producto base | NTD4970 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta), 36A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 774 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-NTD4970N-35G-OS ONSONSNTD4970N-35G NTD4970N-35GOS NTD4970N-35G-ND |
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