NTD3055-150T4G
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2285502-NTD3055-150T4G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTD3055-150T4G
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | NTD3055 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 9A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 280 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) | |
| Otros nombres | NTD3055150T4G ONSONSNTD3055-150T4G NTD3055-150T4GOSTR =NTD3055-150T4GOSCT-ND 2156-NTD3055-150T4G-OS NTD3055-150T4GOSDKR NTD3055-150T4GOS NTD3055-150T4GOSCT NTD3055-150T4GOS-ND |
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