SQJ872EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2280969-SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJ872EP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 150 V 24.5A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Número de producto base | SQJ872 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 24.5A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 35.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1045 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 55W (Tc) | |
| Otros nombres | SQJ872EP-T1_GE3DKR SQJ872EP-T1_GE3CT SQJ872EP-T1_GE3TR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SN74LVC2T45MDCTTEPTexas Instruments
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay Siliconix
PSMN059-150Y,115Nexperia USA Inc.
PCA9655EDTR2Gonsemi
BTT3018EJXUMA1Infineon Technologies
SDM03U40Q-7Diodes Incorporated
SQJ431AEP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIJ494DP-T1-GE3Vishay Siliconix
NVBLS4D0N15MConsemi
FJV42MTFonsemi
ECS-2520Q-18-270-BP-TRECS Inc.
NVBGS4D1N15MConsemi
