IXFN60N80P
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Número de pieza NOVA:
312-2263637-IXFN60N80P
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXFN60N80P
Embalaje estándar:
10
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227B | |
| Número de producto base | IXFN60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Polar | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 53A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 8mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 250 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 18000 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1040W (Tc) |
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