TPN7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Número de pieza NOVA:
312-2285598-TPN7R006PL,L1Q
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPN7R006PL,L1Q
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 54A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Número de producto base | TPN7R006 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 54A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 27A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 200µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1875 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 630mW (Ta), 75W (Tc) | |
| Otros nombres | 264-TPN7R006PLL1QCT 264-TPN7R006PLL1QTR TPN7R006PL,L1Q(M 264-TPN7R006PLL1QDKR |
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