SI4634DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 24.5A 8SO
Número de pieza NOVA:
312-2288397-SI4634DY-T1-E3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI4634DY-T1-E3
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 24.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Número de producto base | SI4634 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 24.5A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.6V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3150 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | |
| Otros nombres | SI4634DY-T1-E3-ND SI4634DY-T1-E3TR SI4634DY-T1-E3CT SI4634DY-T1-E3DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SI4430BDY-T1-E3Vishay Siliconix
TSM042N03CS RLGTaiwan Semiconductor Corporation
IRF8736TRPBFInfineon Technologies
NTMS4920NR2Gonsemi