IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Número de pieza NOVA:
312-2282003-IRLML5103TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRLML5103TRPBF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Micro3™/SOT-23 | |
| Número de producto base | IRLML5103 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 760mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 75 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 540mW (Ta) | |
| Otros nombres | IRLML5103GTRPBFTR IRLML5103PBFCT IRLML5103GTRPBFDKR-ND IRLML5103GTRPBFCT IRLML5103GTRPBFDKR SP001568594 IRLML5103GTRPBF SP001572946 *IRLML5103TRPBF IRLML5103PBFDKR IRLML5103PBFTR IRLML5103GTRPBFCT-ND IRLML5103GTRPBF-ND IRLML5103GTRPBFTR-ND |
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