IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Número de pieza NOVA:
312-2281860-IRLML2402TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRLML2402TRPBF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Micro3™/SOT-23 | |
| Número de producto base | IRLML2402 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 930mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 700mV @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 3.9 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 110 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 540mW (Ta) | |
| Otros nombres | IRLML2402GTRPBFCT IRLML2402PBFTR IRLML2402GTRPBFDKR IRLML2402GTRPBF IRLML2402GTRPBFTR-ND *IRLML2402TRPBF IRLML2402GTRPBFCT-ND IRLML2402GTRPBFDKR-ND SP001552710 IRLML2402PBFCT IRLML2402GTRPBFTR IRLML2402PBFDKR Q9394462AAA IRLML2402GTRPBF-ND SP001572972 |
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