RSJ550N10TL
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Número de pieza NOVA:
312-2274287-RSJ550N10TL
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RSJ550N10TL
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 55A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LPTS | |
| Número de producto base | RSJ550 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 55A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 16.8mOhm @ 27.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 143 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6150 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 100W (Tc) | |
| Otros nombres | RSJ550N10TLDKR RSJ550N10TLCT RSJ550N10TLTR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
- PHB191NQ06LT,118Nexperia USA Inc.
- IPB80N08S2L07ATMA1Infineon Technologies
- RSJ650N10TLRohm Semiconductor




