SI7998DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Número de pieza NOVA:

303-2248866-SI7998DP-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI7998DP-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SI7998
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	25A, 30A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	26nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1100pF @ 15V
Potencia - Máx.	22W, 40W
Otros nombres	SI7998DP-T1-GE3DKR SI7998DPT1GE3 SI7998DP-T1-GE3TR SI7998DP-T1-GE3-ND SI7998DP-T1-GE3CT

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!