SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Número de pieza NOVA:

303-2247920-SIRB40DP-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIRB40DP-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SIRB40
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Función FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4290pF @ 20V
Potencia - Máx.	46.2W
Otros nombres	SIRB40DP-T1-GE3CT SIRB40DP-T1-GE3TR SIRB40DP-T1-GE3DKR

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