MSCSM120AM042CD3AG
PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
Número de pieza NOVA:
303-2249080-MSCSM120AM042CD3AG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
MSCSM120AM042CD3AG
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 495A (Tc) 2.031kW (Tc) Chassis Mount D3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D3 | |
| Número de producto base | MSCSM120 | |
| Paquete / Caja | Module | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 495A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 240A, 20V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.8V @ 6mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1392nC @ 20V | |
| Función FET | Silicon Carbide (SiC) | |
| Tipo FET | 2 N Channel (Phase Leg) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 18.1pF @ 1000V | |
| Potencia - Máx. | 2.031kW (Tc) | |
| Otros nombres | 150-MSCSM120AM042CD3AG |
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