MSCSM120AM027CD3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
Número de pieza NOVA:
303-2249189-MSCSM120AM027CD3AG
Número de parte del fabricante:
MSCSM120AM027CD3AG
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 733A (Tc) 2.97kW (Tc) Chassis Mount D3

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Matrices
FabricanteMicrochip Technology
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeChassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D3
Número de producto base MSCSM120
Paquete / CajaModule
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 733A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 360A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.8V @ 9mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2088nC @ 20V
Función FETSilicon Carbide (SiC)
Tipo FET2 N Channel (Phase Leg)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)1200V (1.2kV)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 27000pF @1000V
Potencia - Máx. 2.97kW (Tc)
Otros nombres150-MSCSM120AM027CD3AG

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