FDMQ8203

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

Número de pieza NOVA:

303-2248095-FDMQ8203

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FDMQ8203

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	12-MLP (5x4.5)
Número de producto base	FDMQ82
Paquete / Caja	12-WDFN Exposed Pad
Serie	GreenBridge™ PowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3.4A, 2.6A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	5nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V, 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	210pF @ 50V
Potencia - Máx.	2.5W
Otros nombres	FDMQ8203TR FDMQ8203DKR FDMQ8203CT FDMQ8203-ND

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