DMHC6070LSD-13

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MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Número de pieza NOVA:

303-2251476-DMHC6070LSD-13

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

DMHC6070LSD-13

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Diodes Incorporated
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Número de producto base	DMHC6070
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3.1A, 2.4A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Función FET	Standard
Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	731pF @ 20V
Potencia - Máx.	1.6W
Otros nombres	DMHC6070LSD-13DIDKR DMHC6070LSD-13DICT DMHC6070LSD-13DITR

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