NTJD4105CT1G

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Número de pieza NOVA:

303-2251341-NTJD4105CT1G

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

NTJD4105CT1G

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array N and P-Channel 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SC-88/SC70-6/SOT-363
Número de producto base	NTJD4105
Paquete / Caja	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	630mA, 775mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	N and P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V, 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	46pF @ 20V
Potencia - Máx.	270mW
Otros nombres	NTJD4105CT1GOS NTJD4105CT1GOSTR NTJD4105CT1GOSDKR ONSONSNTJD4105CT1G NTJD4105CT1GOSCT NTJD4105CT1GOS-ND 2156-NTJD4105CT1G-OS

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