NTJD4105CT2G
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Número de pieza NOVA:
303-2361154-NTJD4105CT2G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTJD4105CT2G
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array N and P-Channel 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Número de producto base | NTJD4105 | |
| Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 630mA, 775mA | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 375mOhm @ 630mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 3nC @ 4.5V | |
| Función FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | N and P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V, 8V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 46pF @ 20V | |
| Potencia - Máx. | 270mW | |
| Otros nombres | ONSONSNTJD4105CT2G 2156-NTJD4105CT2G-OS NTJD4105CT2GOSTR NTJD4105CT2G-ND NTJD4105CT2GOSDKR NTJD4105CT2GOSCT |
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