SI4463BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2263165-SI4463BDY-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4463BDY-T1-E3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SI4463 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.8A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 13.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) | |
| Andere Namen | SI4463BDYT1E3 SI4463BDY-T1-E3DKR SI4463BDY-T1-E3TR SI4463BDY-T1-E3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
FDS6576onsemi
BSO201SPHXUMA1Infineon Technologies
NTMS10P02R2Gonsemi
SI4431BDY-T1-E3Vishay Siliconix
MC14504BDR2Gonsemi- IRF7416TRPBFInfineon Technologies
SI6423DQ-T1-GE3Vishay Siliconix- AOSP21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.
- IRF7404TRPBFInfineon Technologies
- SI4435FDY-T1-GE3Vishay Siliconix
DMP2022LSS-13Diodes Incorporated- FDS6575onsemi
- SI9433BDY-T1-E3Vishay Siliconix
AO4425Alpha & Omega Semiconductor Inc.
