NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
NOVA-Teilenummer:
312-2290452-NTMS10P02R2G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTMS10P02R2G
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | NTMS10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.8A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3640 pF @ 16 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) | |
| Andere Namen | NTMS10P02R2GOSCT 2156-NTMS10P02R2G-OS NTMS10P02R2GOS NTMS10P02R2GOSDKR NTMS10P02R2GOSTR =NTMS10P02R2GOSCT-ND NTMS10P02R2GOS-ND ONSONSNTMS10P02R2G |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IS31FL3265B-ZLS4-TRLumissil Microsystems
LTC6915CGN#PBFAnalog Devices Inc.
NTMS5P02R2Gonsemi
FDS6576onsemi
1N4002Gonsemi
SI4403DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
MCM1567-TPMicro Commercial Co- SI4463BDY-T1-E3Vishay Siliconix
- SI4463CDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4463DYFairchild Semiconductor
DMP2022LSS-13Diodes Incorporated- FDS6575onsemi
AO4425Alpha & Omega Semiconductor Inc.
