SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
NOVA-Teilenummer:
312-2263200-SI6423DQ-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI6423DQ-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-TSSOP | |
| Basisproduktnummer | SI6423 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.2A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 400µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.05W (Ta) | |
| Andere Namen | SI6423DQ-T1-GE3CT SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 SI6423DQ-T1-GE3DKR |
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