STH150N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
NOVA-Teilenummer:
312-2306100-STH150N10F7-2
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STH150N10F7-2
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | H2Pak-2 | |
| Basisproduktnummer | STH150 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 110A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8115 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-14979-1 -497-14979-6 497-14979-2 497-14979-6 -497-14979-2 -497-14979-1 |
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