RJ1P12BBDTLL
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
NOVA-Teilenummer:
312-2279786-RJ1P12BBDTLL
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RJ1P12BBDTLL
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount LPTL
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | LPTL | |
| Basisproduktnummer | RJ1P12 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4170 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 178W (Tc) | |
| Andere Namen | RJ1P12BBDTLLTR RJ1P12BBDTLLCT RJ1P12BBDTLLDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
ATP304-TL-Honsemi
STH150N10F7-2STMicroelectronics
IPB020N10N5LFATMA1Infineon Technologies
MCB130N10Y-TPMicro Commercial Co
CSD19532KTTTTexas Instruments