TK65G10N1,RQ

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	D2PAK
Basisproduktnummer	TK65G10
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSVIII-H
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	65A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	5400 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Andere Namen	TK65G10N1,RQ(S TK65G10N1RQCT TK65G10N1RQTR TK65G10N1RQDKR

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