FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2281826-FDD86367
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDD86367
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D-PAK (TO-252) | |
| Basisproduktnummer | FDD863 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4840 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 227W (Tj) | |
| Andere Namen | FDD86367-ND FDD86367OSCT FDD86367OSDKR FDD86367OSTR |
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