FDD86367-F085

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.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2282857-FDD86367-F085

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

FDD86367-F085

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252AA
Basisproduktnummer	FDD86367
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	88 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4840 pF @ 40 V
Verlustleistung (max.)	227W (Tj)
Andere Namen	FDD86367F085 FDD86367_F085 FDD86367_F085CT FDD86367_F085DKR-ND FDD86367_F085TR FDD86367_F085DKR FDD86367-F085CT FDD86367_F085TR-ND FDD86367-F085TR FDD86367_F085CT-ND FDD86367-F085DKR