ZXMN10A11GTA
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2287766-ZXMN10A11GTA
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
ZXMN10A11GTA
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223-3 | |
| Basisproduktnummer | ZXMN10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.7A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 274 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) | |
| Andere Namen | ZXMN10A11GCT-NDR ZXMN10A11GDKR ZXMN10A11GDKRINACTIVE ZXMN10A11GDKR-ND ZXMN10A11GTR ZXMN10A11GTR-NDR Q3847650I ZXMN10A11GCT |
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