ZXMN10A25GTA
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2264389-ZXMN10A25GTA
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
ZXMN10A25GTA
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223-3 | |
| Basisproduktnummer | ZXMN10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.9A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 859 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) | |
| Andere Namen | ZXMN10A25GTATR ZXMN10A25GCT-ND ZXMN10A25GTACTINACTIVE ZXMN10A25GTR-ND ZXMN10A25GTADKRINACTIVE ZXMN10A25GTATRINACTIVE ZXMN10A25GTR ZXMN10A25GTACT ZXMN10A25G ZXMN10A25GCT ZXMN10A25GDKR ZXMN10A25GTADKR ZXMN10A25GDKR-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- IRLR3410TRLPBFInfineon Technologies
- FQB33N10LTMonsemi
- TSM950N10CW RPGTaiwan Semiconductor Corporation
- PMT560ENEAXNXP Semiconductors
- IRL530NSTRLPBFInfineon Technologies
- IRL540NSTRLPBFInfineon Technologies
- MUR460-M3/73Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- LTC1445IDHD#PBFAnalog Devices Inc.
- FDD86102LZonsemi
- FDT86113LZonsemi










