IRF6668TRPBF
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
NOVA-Teilenummer:
312-2263520-IRF6668TRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRF6668TRPBF
Standardpaket:
4,800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DIRECTFET™ MZ | |
| Basisproduktnummer | IRF6668 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 55A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | DirectFET™ Isometric MZ | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1320 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Andere Namen | IRF6668TRPBFTR IRF6668TRPBFDKR IRF6668TRPBFCT SP001551178 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IR1167ASTRPBFInfineon Technologies
LTC4440ES6#TRMPBFAnalog Devices Inc.
FDB024N06onsemi
IRF6775MTRPBFInfineon Technologies
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon Technologies
