IRF6775MTRPBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
NOVA-Teilenummer:
312-2263584-IRF6775MTRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRF6775MTRPBF
Standardpaket:
4,800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DIRECTFET™ MZ | |
| Basisproduktnummer | IRF6775 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.9A (Ta), 28A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 5.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | DirectFET™ Isometric MZ | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1411 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Andere Namen | IRF6775MTRPBFCT IRF6775MTRPBFDKR IRF6775MTRPBFTR SP001562042 IRF6775MTRPBF-ND |
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