TK8S06K3L(T6L1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2301957-TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK+ | |
| Basisproduktnummer | TK8S06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIV | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 400 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 25W (Tc) | |
| Andere Namen | TK8S06K3L(T6L1NQ) TK8S06K3LT6L1NQ |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- TBD62064AFG,ELToshiba Semiconductor and Storage
- MMBFJ176onsemi
- TJ8S06M3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and Storage
- RFD12N06RLESM9Aonsemi
- 74VHC14FTToshiba Semiconductor and Storage
- TK7S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- TK8R2A06PL,S4XToshiba Semiconductor and Storage
- SN74ACT04PWRTexas Instruments
- FDG6317NZonsemi
- S-817B12AMC-CWBT2GABLIC U.S.A. Inc.









