TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2301953-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK+ | |
| Basisproduktnummer | TJ8S06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVI | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | +10V, -20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 890 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 27W (Tc) | |
| Andere Namen | TJ8S06M3L(T6L1NQ) TJ8S06M3LT6L1NQ |
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