TK8R2A06PL,S4X
MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
NOVA-Teilenummer:
312-2290647-TK8R2A06PL,S4X
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK8R2A06PL,S4X
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220SIS | |
| Basisproduktnummer | TK8R2A06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28.4 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1990 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 36W (Tc) | |
| Andere Namen | TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PLS4X |
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